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논문 기본 정보

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학술저널
저자정보
박효미 (조선대학교) 최문성 (조선대학교) 주기남 (조선대학교)
저널정보
Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Journal of the Korean Society for Precision Engineering Vol.34 No.2
발행연도
2017.2
수록면
107 - 114 (8page)

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In this investigation, we describe a metrological technique for surface and thickness profiles of a silicon (Si) wafer by using a 6 degree of freedom (DOF) stitching method. Low coherence scanning interferometry employing near infrared light, partially transparent to a Si wafer, is adopted to simultaneously measure the surface and thickness profiles of the wafer. For the large field of view, a stitching method of the sub-aperture measurement is added to the measurement system; also, 6 DOF parameters, including the lateral positioning errors and the rotational error, are considered. In the experiment, surface profiles of a double-sided polished wafer with a 100 mm diameter were measured with the sub-aperture of an 18 mm diameter at 10x10 locations and the surface profiles of both sides were stitched with the sub-aperture maps. As a result, the nominal thickness of the wafer was 483.2 μm and the calculated PV values of both surfaces were 16.57 μm and 17.12μm, respectively.

목차

1. 서론
2. 근적외선 정합 간섭계의 원리
3. 실험 결과 및 분석
4. 결론
REFERENCES

참고문헌 (10)

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